• 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出,日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此,市場預估,美光的該項新產品還會在2019年底前,在美光位于中國臺灣臺中的廠區內建立量產產線。

    報導指出,美光指出,與第2代10納米級(1ynm)制程相比,美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度,從而增強性能,并且降低功耗。此外,以第3代10納米級制程所生產新一代DRAM,與同樣為16GB DDR4的產品來比較,功耗較第2代10納米級制程產品低40%。

    另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1Znm制程技術將較1Ynm制程技術的產品節省高達10%的功率。而且,由于1Znm制程技術提供的位元密度更高,這使得美光可以降低生產成本,未來使得存儲器更加便宜。

    報導進一步指出,美光本次并沒有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何,但根據市場預計,美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將會符合JEDEC制定的官方標準規格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設備將會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組為主。

    至于,在行動存儲器方面,根據美光公布的資料顯示,1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達4266 MT/s。此外,除了為高端智能手機提供高達16GB(8×16Gb)LPDDR4X的DRAM模組外,美光還將提供基于UFS規格的多存儲器模組(uMCP4),其中內含NAND Flash和DRAM。而美光針對主流手機的uMCP4系列產品將包括64GB+3GB至256GB+8GB(NAND+DRAM)等規格。

    雖然美光沒有透露其采用1Znm技術的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將會在哪里生產,不過市場分析師推測,美光其在日本廣島的工廠將會采用最新的制造技術開始批量生產,而在此同時,也期待2019年底前在臺灣臺中附近的美光臺灣晶圓廠將開始營運1Znm制程技術的生產線。 

    2019年08月20日

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